MBE相关论文
拓扑材料,包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和拓扑超导体等,因其独特的电子结构和物理性质已成为凝聚态物理研究的前沿课题。AMnPn2（A=Ca......
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的......
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
摘 要：由于InAs/GaSb II类超晶格材料有较高的表面态密度， 易在表面生成导电氧化层， 在将其制备成红外器件的过程中， 首先要解决钝化问......
期刊
该文首先简要介绍了数字扩频移动通信系统的背景,主要的理论依据和技术要点.然后讨论了多带激励编码(MBE)算法的原理和实现方法.第......
摘 要： 基于经典Varshni模型，提出了In1-xAlxSb的能带值Eg随Al组分和温度变化的经验关系Eg（x， T），并通过已有的文献数据对该公式进行有效......
含f电子的镧系和锕系元素是元素周期表中最复杂的成员,它们常表现出奇异的物理特性。其中最简单而具代表性的就是金属Ce的γ-α相......
近几年来,随着半导体工业的不断发展,作为第三代半导体材料,宽禁带GaN和ZnO越来越受到研究人员的重视。GaN材料已经广泛应用于新型......
学位
本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二......
结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延......
本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/Ga......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
We studied the multilayering effects of InGaAs quantum dots(QDs) on GaAs(731), a surface lying inside of the stereograph......
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制......
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载......
采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2......
叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长......
The structural characteristics and optical and electrical properties of molecular-beam-epitaxy (MBE) grown ZnS0.8Se0.2 t......
The possibility of ultra-thin Y2O3 (yttrium sesquioxide) films as insulator of metal ferroelectric insulator semiconduct......
用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透......
Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular B
During the process of molecular beam epitaxy employing a DC plasma as N source,the effects of the growth temperature, gr......
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .......
现阶段,大面阵碲镉汞红外焦平面探测器的需求持续增加,面向更大尺寸的碲镉汞材料制备技术成为了研究热点。对4 in硅基碲镉汞材料外......
报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功......
变速率、低码率的语音编码技术一直是语音编码中的重要课题,这一研究方向为解决信道带宽相对紧张和信息量日益膨胀的矛盾,显得尤为......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
改进的MBE语音算法作为国际卫星通讯组织采用的通讯语音标准在低速语音编码的是一个重要方面。文章介绍了该编码器的算法原理以及......
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1-xSbx/AlSb/GaAs 等是研制红外光通讯探测器的重要材料,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x......
报道了一种用于长波长新的片直接贴合Ino53Gao．47As／InP—GaAs／Al0．2Ga0．8AsAPD的设计和制造。使用MBE技术，在P＋InP衬底上生长掺Be的P型In......
研究煤矿井下的语音信号利用现场总线技术进行传输的方法，同时介绍了多带激励语音压缩算法及利用CAN总线进行传输的优点，最后利用AMB......
在分子束外延（MBE）中波HgCdTe薄膜过程中，利用反射式高能电子衍射（RHEED）对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究......
CdTe是GaAs衬底上分子束外延（MBE）HgCdTe薄膜时的缓冲层，引入缓冲层的目的是减小失配位错，CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜......
在介绍MBE语音算法以及TMS3201VC5402定点DSP芯片的基础之上,详细的讨论了改进的MBE语音算法以及它在TMS320VC5402上实时实现的关......
用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题......
近年来,由于数字通信及其他商业应用的需求,语音压缩技术得到了迅速发展,针对目前几种具有代表性的低速率语音压缩编码算法(如:LPC......
实现高温工作已经成为了第三代红外探测器的重要发展方向。为了达到这个目标，首先要降低探测器材料的各种缺陷。本文主要研究了不同......
首次使用纳米压印和分子束外延（MBE）相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表......
文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、......
以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进......
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找......
为了得到高性能的量子阱红外探测材料,本文通过建立系统的材料设计、材料生长及材料表征体系,对面向工程化应用要求的单色以及双色......
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研......
在分子束外延生长高质量的CdTe／Si复合衬底上，分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe／CdTe／si红外探测器所需的重要红外半导体材......
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是......
